Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC550B A1G

TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 200A

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC550B

BC550B A1G Hakkında

BC550B A1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-92 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 45V collector-emitter gerilimi, 100mA collector akımı ve 500mW güç dağılım kapasitesine sahiptir. 200 minimum DC akım kazanı (hFE), düşük collector cutoff akımı (15nA) ve -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile sinyal işleme, düşük frekanslı amplifikasyon ve dijital lojik sürme devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok