Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC550A B1G
TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 110A
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- BC550A
BC550A B1G Hakkında
BC550A B1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Through-hole montaj tipi TO-92 paketinde sunulmaktadır. Maksimum collector-emitter gerilimi 45V, maksimum collector akımı 100mA ve maksimum güç tüketimi 500mW'tır. DC current gain (hFE) 2mA ve 5V koşullarında minimum 110 değerine sahiptir. İşletim sıcaklık aralığı -65°C ile 150°C arasındadır. Collector cutoff akımı maksimum 15nA'dır. Düşük-orta güç uygulamalarında, sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Ses amplifikatörleri, RF uygulamaları ve genel amaçlı transistör uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 2mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok