Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC550A A1G

TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, 110A

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC550A

BC550A A1G Hakkında

BC550A A1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 45V maksimum kolektör-emitör gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 500mW maksimum güç kapasitesi ve 110 minimum DC akım kazancı (2mA, 5V'de) ile sinyal amplifikasyonu ve lojik seviye uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through-hole TO-92 pakette sunulan bu transistör, geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-65°C ~ 150°C) güvenilir performans sağlar. Amatör elektronik projelerinden endüstriyel kontrol devrelerine kadar çok çeşitli uygulamalarda kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok