Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC549C B1G
TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- BC549C
BC549C B1G Hakkında
BC549C B1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum 30V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışabilen bu transistör, 420 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. TO-92 paketinde sunulan komponent, -65°C ile 150°C arasında güvenli şekilde işletilmekte olup, 500mW maksimum güç harcaması ile düşük güçlü devre tasarımlarında tercih edilir. Sinyal amplifikasyon, akım kontrolü, anahtar uygulamaları ve gürültü figürü kritik olmayan RF devrelerine uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok