Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC549B A1G
TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 200A
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- BC549B
BC549B A1G Hakkında
BC549B A1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 kasa tipinde üretilen bu transistör, maksimum 30V kolektör-emiter gerilimi ile 100mA'e kadar kolektör akımını anahtarlamak için tasarlanmıştır. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ile hassas amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 500mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi vardır. -65°C ile +150°C arasında çalışabilme yeteneğine sahiptir. Düşük sinyal amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, frekans çoğaltıcılar ve genel amaçlı BJT uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok