Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC546B B1G

TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, 200A

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC546B

BC546B B1G Hakkında

BC546B B1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 65V kollektor-emitter gerilim ve 100mA maksimum kollektor akımı ile düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 200 minimum DC akım kazanı (hFE) ile işaret kuvvetlendirme, anahtarlama ve kontrol devrelerine uygun olup, endüstriyel kontrol, ses elektroniği, tüketici elektroniği ve ölçüm cihazlarında yaygın olarak tercih edilir. TO-92 paketlemesi ile kompakt devre tasarımlarına entegre edilebilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip, 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok