Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC546A B1G

TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, 110A

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC546A

BC546A B1G Hakkında

BC546A B1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 65V maksimum Vce darbelenme gerilimi ve 100mA kollektör akımı ile çalışabilir. 500mW maksimum güç tüketimi ile entegre devrelerin sürücü kademesi, sinyal anahtarlaması ve küçük güç amplifikasyonu uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montajı için TO-92 paketinde sunulan bu transistör, geniş -65°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sağlar. 2mA kollektör akımında minimum 110 DC akım kazancına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok