Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC338-40 A1G

TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 250A

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC338

BC338-40 A1G Hakkında

BC338-40 A1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olarak genel amaçlı sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 25V maksimum collector-emitter gerilimine ve 800mA maksimum kolektör akımına sahiptir. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. TO-92 through-hole paketinde sunulan bu transistör, düşük güç tüketimi gerektiren devrelerde, ses amplifikatörleri, RF modülleri ve genel mikro-denetleyici uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 625mW güç tüketebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Active
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok