Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC338-25 B1G
TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 160A
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- BC338
BC338-25 B1G Hakkında
BC338-25, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 25V collector-emitter dayanım gerilimi ve maksimum 800mA collector akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. 160 minimum DC akım kazancı (hFE) ile amplifikasyon devrelerinde etkili performans sağlar. 100MHz geçiş frekansı sayesinde yüksek hızlı sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 625mW güç dağıtma kapasitesi ile sınırlı ısıl ortamlarda kullanılabilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında geniş ortam koşullarına adapte olur. Through-hole TO-92 paketlemesi ile manuel lehimleme ve breadboard prototiplerine uygundur. Ses amplifikasyonu, anahtarlama devreleri, sensör arayüzleri ve genel transistör uygulamalarında sıklıkla tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok