Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC338-25 A1G

TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 160A

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC338

BC338-25 A1G Hakkında

BC338-25 A1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 25V collector-emitter breakdown voltajı ve 800mA maksimum collector akımı ile düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 160 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 100MHz transition frekansı, hızlı anahtarlama ve küçük sinyal işleme devrelerinde uygun performans sunar. TO-92 plastik paketlemesiyle hafif endüstriyel uygulamalar, ses amplifikatörleri, sensör arayüzleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığında, 625mW maksimum güç tüketimiyle tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Active
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok