Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC337-16 B1G

TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.8A, 100A

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC337

BC337-16 B1G Hakkında

BC337-16 B1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, 45V collector-emitter breakdown voltajı ve 800mA maksimum collector akımı ile çalışır. 100 @ 100mA, 5V'de DC current gain sağlayarak, 100MHz transition frequency'ye sahiptir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen BC337-16, düşük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı transistör devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 625mW güç tüketimiyle, hobby elektronik projeleri, ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok