Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC337-16 A1G

TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.8A, 100A

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC337-16

BC337-16 A1G Hakkında

BC337-16 A1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar (BJT) transistördür. TO-92 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 45V kolektör-emitter gerilimi ve 800mA kolektör akımı özellikleri ile düşük ve orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 100 MHz transition frekansı, minimum 100 hFE kazanç (100mA, 5V'de) ve 625mW maksimum güç derecelendirilmesi ile voltaj amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, sinyal işleme ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Active
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok