Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC212B_D26Z

TRANS PNP 50V 0.1A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC212B

BC212B_D26Z Hakkında

BC212B_D26Z, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörüdür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu komponent, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 50V maksimum collector-emitter gerilim ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışan transistör, 350mW güç disipasyonunu destekler. 60 minimum DC current gain (hFE) değeri ile 2mA collector akımında 5V Vce koşulunda çalışır. -55°C ile +150°C arasında geniş sıcaklık aralığında kullanılabilir. Küçük sinyalli amplifikasyon, dar akımlı anahtarlama devreleri ve genel amaçlı transistor uygulamalarında tercih edilir. Bileşen eski üretim olarak sınıflandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 2mA, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 350 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok