Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BC212_J35Z

TRANS PNP 50V 0.3A TO-9

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
BC212

BC212_J35Z Hakkında

BC212_J35Z, onsemi tarafından üretilen PNP tipinde bipolar kavşak transistörüdür (BJT). TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50V kolektör-emitter gerilimi ve 300mA kolektör akımı ile çalışır. 625mW güç derecelendirilmesi ile orta güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 2mA ve 5V'de minimum 60 değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, geleneksel devreler, ses amplifikatörleri ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. Bileşen üretimi sonlandırılmış (Obsolete) olup, arşiv ve restorasyonu projelerinde bulunabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 300 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 2mA, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok