Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC 856B E6327
TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC856B
BC 856B E6327 Hakkında
BC856B E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23 paketinde sunulan bu transistör, 65V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama operasyonlarında kullanılabilir. 330mW güç kapasitesi ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal işleme devreleri başta olmak üzere, consumer elektronik ürünleri, ses ekipmanları ve portable cihazlarda uygulanır. DC current gain (hFE) değeri 2mA kolektör akımında 5V VCE'de minimum 220'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok