Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BC850BE6327
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BC850
BC850BE6327 Hakkında
BC850BE6327, Rochester Electronics tarafından üretilen Surface Mount NPN bipolar transistördür. Genel amaçlı uygulamalar için tasarlanmış bu bileşen, 100 mA maksimum kolektör akımı ve 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ile çalışır. 250 MHz geçiş frekansı sayesinde yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. 45 V maksimum kolektör-emitör ters gerilimi ve 330 mW güç dağılımı kapasitesi ile düşük sinyalli amplifikasyon, anahtarlama, osilatör ve ses frekansı uygulamalarına uygundur. TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, mobil cihazlar, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok