Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

BAV199HYFHT116

LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BAV199

BAV199HYFHT116 Hakkında

BAV199HYFHT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen low-leakage özellikli standart doğrultucu diyot dizisidir. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 80V ters gerilim ve 215mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Seri bağlı diyot çifti konfigürasyonunda tasarlanan BAV199, 5nA ters kaçak akımı ve 1.25V maksimum ileri gerilim özelliğiyle dikkat çeker. 3µs reverse recovery time ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile düşük güç uygulamalarında, sinyal denetleme devrelerinde ve EMI/RFI filtreleme uygulamalarında kullanılır. Kompakt yapısı ve düşük kaçak akımı özellikleri, hassas analog ve RF devreler için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 215mA (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 nA @ 75 V
Diode Configuration 1 Pair Series Connection
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction 150°C
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 3 µs
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package SOT-23
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 150 mA

Kaynaklar

Datasheet

BAV199HYFHT116 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok