Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
BAV170HMFHT116
SWITCHING DIODE (LOW LEAKAGE)
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- BAV170
BAV170HMFHT116 Hakkında
BAV170HMFHT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen düşük sızıntı akımı özellikli switching diyotudur. 1 Pair Common Cathode konfigürasyonunda tasarlanmış olan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 215mA ortalama düzeltilmiş akım kapasitesi, 80V maksimum ters gerilim dayanımı ve 3µs reverse recovery time ile karakterize edilir. Düşük reverse leakage akımı (5nA @ 75V) sayesinde hassas sinyal işleme devrelerinde, schmitt tetikleyicilerde ve hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan komponent, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 215mA (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 nA @ 75 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3 µs |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | SSD3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok