RF Diyotlar

BAT68E6327HTSA1

DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Kategori
RF Diyotlar
Seri / Aile Numarası
BAT68

BAT68E6327HTSA1 Hakkında

BAT68E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen tek kanal Schottky diyotudur. TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu komponentin maksimum ters voltajı 8V, maksimum akımı 130mA ve güç tüketimi 150mW'dır. 1pF kapasitasyon (@0V, 1MHz) ve 10Ohm (5mA, 10kHz) direnç değerleriyle RF uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kararlı performans sunar. Anahtarlama hızı, düşük kapasitans ve minimum ters akım özellikleriyle yüksek frekanslı devreler, detektör aplikasyonları ve RF mikserlerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 1pF @ 0V, 1MHz
Current - Max 130 mA
Diode Type Schottky - Single
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150 mW
Resistance @ If, F 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Supplier Device Package PG-SOT23
Voltage - Peak Reverse (Max) 8V

Kaynaklar

Datasheet

BAT68E6327HTSA1 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok