RF Diyotlar

BAT6804E6327HTSA1

DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Kategori
RF Diyotlar
Seri / Aile Numarası
BAT6804

BAT6804E6327HTSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BAT6804E6327HTSA1, Schottky diyot teknolojisini kullanan bir RF diyotudur. 8V peak reverse voltaj ile çalışabilen bu diyot, maksimum 150 mW güç tüketimine ve 130 mA akım kapasitesine sahiptir. 1 pF @ 0V kapasitans ve 10 Ohm @ 5mA direnç değerleri ile RF ve sinyal işleme uygulamalarında yüksek hızlı anahtarlama performansı sunar. SOT-23-3 kompakt paketlemesi sayesinde alan kısıtlı tasarımlarda kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Genel amaçlı RF anahtarlama, karıştırıcılar, detektörler ve düşük gürültülü uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 1pF @ 0V, 1MHz
Current - Max 130 mA
Diode Type Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150 mW
Resistance @ If, F 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Supplier Device Package PG-SOT23
Voltage - Peak Reverse (Max) 8V

Kaynaklar

Datasheet

BAT6804E6327HTSA1 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok