Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

BAS316,H3F

DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

Paket/Kılıf
SC-76
Seri / Aile Numarası
BAS316

BAS316,H3F Hakkında

BAS316,H3F, Toshiba tarafından üretilen yüksek hızlı iyileştirme diyotudur. 100V ters voltaj ve 250mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. 3ns düşük reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount SC-76 (SOD-323) paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları ve yüksek frekanslı uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığına ve 200nA ters sızıntı akımına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 250mA
Current - Reverse Leakage @ Vr 200 nA @ 80 V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Package / Case SC-76, SOD-323
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 3 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package USC
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 150 mA

Kaynaklar

Datasheet

BAS316,H3F PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok