Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

BAS316/DG/B3,115

DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SC-76
Seri / Aile Numarası
BAS316

BAS316/DG/B3,115 Hakkında

BAS316/DG/B3,115 genel amaçlı silisyum diyot, Nexperia tarafından üretilmektedir. 100V ters gerilim derecelendirmesi ve 250mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile çalışır. Fast recovery tipinde tasarlanmış olup 4ns ters kurtarma zamanı (trr) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. SC-76/SOD-323 yüzey montajlı paketinde sunulan komponent, 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. 150mA'de 1.25V ileri gerilim düşüşü ve 80V'de 500nA ters sızıntı akımı karakteristikleri vardır. Güç kaynağı uygulamaları, anahtarlama devreleği ve RF modüllerinde yaygın olarak kullanılır. Not: Bu bileşen artık üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 250mA (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 500 nA @ 80 V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Package / Case SC-76, SOD-323
Part Status Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) 4 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package SOD-323
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 150 mA

Kaynaklar

Datasheet

BAS316/DG/B3,115 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok