Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
BAS21QBZ
DIODE GEN PURP 200V 250MA 3DFN
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BAS21
BAS21QBZ Hakkında
BAS21QBZ, Nexperia tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 200V ters voltaj ve 250mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 50ns reverse recovery time ve ≤500ns hız karakteristiği ile anahtarlamada hızlı tepki verir. Surface mount 3-XDFN paketinde sunulan bu diyot, anahtarlamah güç kaynakları, klamp devreleri ve converterler gibi uygulamalarda tercih edilir. Düşük forward voltaj (1.25V @ 200mA) ve minimal reverse leakage (100nA @ 200V) ile verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 250mA (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 nA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature - Junction | 150°C |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DFN1110D-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 200 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok