Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

BAS16QAZ

DIODE GP 100V 290MA DFN1010D-3

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
3-XDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
BAS16

BAS16QAZ Hakkında

BAS16QAZ, Nexperia tarafından üretilen hızlı iyileştirmeli (fast recovery) genel amaçlı diyottur. 100V ters kapanma voltajı ve 290mA ortalama doğrultulmuş akım yeteneğine sahiptir. 4ns reverse recovery time (trr) ile ultrasonik frekans ve yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Küçük DFN1010D-3 SMD paketinde sunulan bu diyot, güç kaynakları, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), RF amplifikatörleri ve sinyal detektörü devrelerinde yaygın olarak yer alır. İleri voltaj düşüşü maksimum 1.25V @ 150mA olup, düşük ters akış (500nA @ 80V) karakteristiği vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 290mA (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 500 nA @ 80 V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 4 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DFN1010D-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 150 mA

Kaynaklar

Datasheet

BAS16QAZ PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok