Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
BAS116QAZ
BAS116QA - LOW-LEAKAGE DIODE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 3-XDFN Exposed Pad
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BAS116
BAS116QAZ Hakkında
BAS116QAZ, Rochester Electronics tarafından üretilen düşük sızıntı diyottur. Standard recovery tipinde bu diyot, 75V maksimum ters voltaj ve 300mA doğrultma akımı ile çalışır. 5nA ters sızıntı akımı sayesinde düşük güç tüketimi gerektiren uygulamalarda tercih edilir. 3µs reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Surface mount 3-XDFN paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, düşük sinyaller için rectifier uygulamaları ve genel amaçlı elektronik devrelerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 300mA (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 nA @ 75 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3 µs |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 75 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok