Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
BAS116HYFHT116
LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BAS116
BAS116HYFHT116 Hakkında
BAS116HYFHT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen düşük kaçak akımlı silikon doğrultucu diyotudur. 80V ters gerilim derecelendirmesi ve 215mA ortalama doğrultulmuş akımı ile kompakt SOT-23 yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 5nA'lik çok düşük ters sızıntı akımı, 4pF düşük kapasitansı ve 3µs reverse recovery time'ı sayesinde anahtarlamada hızlı tepki gösterir. Standart recovery hızı 500ns üzerinde olup, 150mA'de maksimum 1.25V ileri gerilim düşüşü ile karakterize edilir. Güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, enerji hasat devreleri ve sinyal diyot uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 215mA (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 nA @ 75 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3 µs |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok