RF Diyotlar
BAR 90-081LS E6327
RF DIODE PIN 80V 150MW TSSLP-8-1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-XFDFN
- Kategori
- RF Diyotlar
- Seri / Aile Numarası
- BAR 90-081LS
BAR 90-081LS E6327 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BAR 90-081LS E6327, RF uygulamaları için tasarlanmış PIN tipi diyot komponenttir. 4 bağımsız diyot içeren bu bileşen, 80V pik ters gerilim ve 150mW güç saçılımı kapasitesine sahiptir. 0.35pF @ 1V, 1MHz kapasitans değeri ve 800mOhm @ 10mA, 100MHz direnç karakteristiği ile RF sinyal kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TSSLP-8-1 paket türü ile sunulan bileşen, -55°C ile +150°C (TJ) işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Yüksek frekanslı haberleşme sistemleri, attenuatör devreleri ve RF switch uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 100mA akım kapasitesi ve düşük parazit kapasitansı sayesinde geniş bant RF devrelerde etkili performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Max | 100 mA |
| Diode Type | PIN - 4 Independent |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-XFDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150 mW |
| Resistance @ If, F | 800mOhm @ 10mA, 100MHz |
| Supplier Device Package | TSSLP-8-1 |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 80V |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok