RF Diyotlar

BAP55LX,315

RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN

Paket/Kılıf
2-XDFN
Kategori
RF Diyotlar
Seri / Aile Numarası
BAP55LX

BAP55LX,315 Hakkında

BAP55LX,315, NXP Semiconductors tarafından üretilen PIN tipi RF diyotudur. 50V ters gerilim dayanımı ve 135mW güç tüketim kapasitesine sahip olup, RF ve microwave uygulamalarında sinyal anahtarlaması, atenuasyon kontrolü ve frekans modülasyonu işlevlerinde kullanılır. 2-XDFN (DFN1006D-2) paketi ile sağlanan bu bileşen, 100mA maksimum akım ve 800mOhm direncine (100mA, 100MHz) sahiptir. -65°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen BAP55LX, kompakt boyutu ve düşük kapasitansı (0.28pF @ 20V, 1MHz) nedeniyle mobil iletişim sistemleri, radar cihazları ve aktif filtre uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 0.28pF @ 20V, 1MHz
Current - Max 100 mA
Diode Type PIN - Single
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 2-XDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 135 mW
Resistance @ If, F 800mOhm @ 100mA, 100MHz
Supplier Device Package DFN1006D-2
Voltage - Peak Reverse (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

BAP55LX,315 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok