RF Diyotlar

BAP55L,315

RF DIODE PIN 50V 500MW DFN1006-2

Paket/Kılıf
SOD-882
Kategori
RF Diyotlar
Seri / Aile Numarası
BAP55L

BAP55L,315 Hakkında

BAP55L,315 NXP Semiconductors tarafından üretilen PIN tipi RF diyottur. 50V maksimum ters voltaj ve 500mW güç dağıtımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, radyofrekans ve mikrodalga uygulamalarında kullanılır. DFN1006-2 paketinde sunulan diyot, 100mA akımda 700mOhm direnç karakteristiğine ve 20V'te 0.28pF kapasitansına sahiptir. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponent, RF anahtarlaması, attenuatör devreleri, demodülatör ve detuning uygulamalarında tercih edilir. Kompakt paketlemesi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında yer kazandırır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 0.28pF @ 20V, 1MHz
Current - Max 100 mA
Diode Type PIN - Single
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOD-882
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 500 mW
Resistance @ If, F 700mOhm @ 100mA, 100MHz
Supplier Device Package DFN1006-2
Voltage - Peak Reverse (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

BAP55L,315 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok