RF Diyotlar
BAP1321LX,315
RF DIODE PIN 60V 130MW 2DFN
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 2-XDFN
- Kategori
- RF Diyotlar
- Seri / Aile Numarası
- BAP1321LX
BAP1321LX,315 Hakkında
BAP1321LX,315, NXP Semiconductors tarafından üretilen PIN tip RF diyottur. 60V maksimum ters gerilim ve 130mW güç dağılımı kapasitesi ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılır. 0.28pF kapasitans ve 1.3Ohm dirençle karakterize edilen bu bileşen, radyo frekans sinyal anahtarlama, atenuasyon ve demodülasyon devrelerinde yer alır. 100mA maksimum akım desteği ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve haberleşme sistemlerinde uygulanır. 2-XDFN (DFN1006D-2) paketinde sunulur. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 0.28pF @ 20V, 1MHz |
| Current - Max | 100 mA |
| Diode Type | PIN - Single |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 2-XDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 130 mW |
| Resistance @ If, F | 1.3Ohm @ 100mA, 100MHz |
| Supplier Device Package | DFN1006D-2 |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 60V |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok