RF Diyotlar

BA779-HG3-08

RF DIODE PIN 30V SOT23-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-236-3
Kategori
RF Diyotlar
Seri / Aile Numarası
BA779

BA779-HG3-08 Hakkında

BA779-HG3-08, Vishay tarafından üretilen RF PIN diyottur. SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59) paketinde sunulan bu kompakt komponent, RF ve microwave uygulamalarında anahtarlama, atenuasyon ve diğer kontrollü RF devrelerinde kullanılır. 30V maksimum ters gerilim kapasitesine sahip olan diyot, 0.5pF kapasite değeriyle (0V, 100MHz'de) düşük RF sıvılaması sağlar. 50Ω nominal dirençle (1.5mA, 100MHz'de) karakterize edilen bu PIN diyot, 50mA maksimum akım kapasitesine ve 125°C çalışma sıcaklığına sahiptir. Telekomünikasyon, uydu haberleşme ve RF test ekipmanları gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 0.5pF @ 0V, 100MHz
Current - Max 50 mA
Diode Type PIN - Single
Operating Temperature 125°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Resistance @ If, F 50Ohm @ 1.5mA, 100MHz
Supplier Device Package SOT-23-3
Voltage - Peak Reverse (Max) 30V

Kaynaklar

Datasheet

BA779-HG3-08 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok