Optik Sensörler - Fototransistörler
B17L1PT--H9B0001X3U1930
2.0(L)X 1.3 (W)X 1.1 (H) MM PT
- Üretici
- Harvatek Corporation
- Paket/Kılıf
- 0805 (2012 Metric)
- Kategori
- Optik Sensörler - Fototransistörler
- Seri / Aile Numarası
- B17L1PT
B17L1PT--H9B0001X3U1930 Hakkında
B17L1PT--H9B0001X3U1930, Harvatek Corporation tarafından üretilen 940nm dalga boyundaki infrared fototransistördür. 0805 (2012 Metric) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, 2.0 x 1.3 x 1.1 mm kompakt boyutlarıyla gömülü sistemlere entegre edilmek üzere tasarlanmıştır. Maksimum 20 mA collector akımı ve 100 nA dark current özelliği ile optik sinyal algılamada düşük arka plan gürültüsü sağlar. -40°C ile 85°C çalışma sıcaklık aralığında ve 150 mW maksimum güç tüketimiyle endüstriyel uygulamalarda güvenilir performans gösterir. 35 V collector-emitter breakdown voltajı ile koruma sağlar. Kızılötesi ışık algılama, hareket sensörleri, optik iletişim ve reflektif sensör uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - Dark (Id) (Max) | 100 nA |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C |
| Orientation | Top View |
| Package / Case | 0805 (2012 Metric) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 35 V |
| Wavelength | 940nm |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok