Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
AUIRF9952QTR
AUIRF9952 HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- AUIRF9952
AUIRF9952QTR Hakkında
AUIRF9952QTR, Rochester Electronics tarafından üretilen HEXFET Power MOSFET dizisidir. N ve P-channel konfigürasyonda sunulan bu komponent, 30V Drain-Source gerilimi ve 3.5A maksimum drain akımı ile çalışır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gate sürüş geriliminde (3V @ 250µA) etkindir. 100mOhm RDS(On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 14nC gate charge ve 190pF input kapasitansi özellikleriyle hızlı komütasyon gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 8-SO yüzey montaj paketinde sunulur. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A, 2.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok