Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
AUIRF7379Q
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- AUIRF7379Q
AUIRF7379Q Hakkında
AUIRF7379Q, Infineon Technologies tarafından üretilen tamamlayıcı N ve P-channel MOSFET çiftidir. 30V Drain-Source gerilimi, 5.8A (N-channel) ve 4.3A (P-channel) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile çalışır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük sürücü gerilimi ile aktifleştirilebilir. 45mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 2.5W maksimum güç dağılımı ile orta güçlü uygulamalar için uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A, 4.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok