Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

AT-41535G

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X

Üretici
Broadcom
Paket/Kılıf
4-SMD (35 micro-X)
Seri / Aile Numarası
AT-41535G

AT-41535G Hakkında

AT-41535G, Broadcom tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. 8GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. Maximum 60mA kollektör akımı ve 12V Collector-Emitter breakdown voltajı ile RF amplifikasyon, osilatör ve switching uygulamalarında çalışır. 1.3dB-3dB arasında noise figure ile 1GHz-4GHz frekans bandında iyi performans gösterir. Surface Mount 35 micro-X paket tipinde sunulan bu transistör, 10dB-18dB kazanç aralığında çalışır ve maksimum 500mW güç tüketiminde tasarlanmıştır. Mobil iletişim, radar, test ekipmanları ve diğer RF sistemlerinde kullanım için uygundu.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 60mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition 8GHz
Gain 10dB ~ 18dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 4-SMD (35 micro-X)
Part Status Obsolete
Power - Max 500mW
Supplier Device Package 35 micro-X
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok