Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTSM120AM55CT1AG
POWER MODULE - SIC
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Seri / Aile Numarası
- APTSM120AM55CT
APTSM120AM55CT1AG Hakkında
APTSM120AM55CT1AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı dual N-Channel MOSFET güç modülüdür. 1200V drain-source voltaj kapasitesi ve 74A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 50mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu modül, 470W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Schottky FET özelliği sayesinde hızlı anahtarlama ve düşük kapasitans özellikleri ile enerji dönüşüm sistemleri, solar inverterleri, elektrikli araç şarj cihazları ve endüstriyel güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. SP1 paket tipi ile Chassis Mount montaj sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 74A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 272nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5120pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 470W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok