Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTSM120AM25CT3AG
POWER MODULE - SIC
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP3
- Seri / Aile Numarası
- APTSM120AM25CT3
APTSM120AM25CT3AG Hakkında
APTSM120AM25CT3AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı güç modülüdür. Dual N-channel konfigürasyonunda iki adet Schottky FET içeren bu komponent, 1200V drain-source gerilimi ve 148A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 25mΩ RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen SP3 paket türünde sunulan modül, endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, inverterler ve yüksek gerilim anahtarlama sistemlerinde kullanılır. SiC teknolojisi sayesinde yüksek verimlilik ve hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 148A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 544nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SP3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 937W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 80A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok