Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTSM120AM14CD3AG
POWER MODULE - SIC
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- APTSM120AM14CD3AG
APTSM120AM14CD3AG Hakkında
Microchip Technology tarafından üretilen APTSM120AM14CD3AG, 1200V Drain-Source gerilimi ile tasarlanmış Silicon Carbide (SiC) tabanlı güç modülüdür. Dual N-Channel MOSFET yapısı içeren bu bileşen, 337A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. RDS(on) değeri 180A ve 20V koşullarında 11mΩ ile belirtilmiştir. Gate charge maksimum 1224nC, input kapasitans ise 1000V'de 23000pF'dir. 2140W maksimum güç dağıtımı yapabilen modül, -40°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Şasi montajı için tasarlanmış bu bileşen, yüksek güçlü uygulamalarda, güç dönüştürücülerde, inverters ve industrial motor kontrol sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 337A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2140W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 180A, 20V |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 9mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok