Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTSM120AM09CD3AG
MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- APTSM120AM09CD
APTSM120AM09CD3AG Hakkında
APTSM120AM09CD3AG, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V/337A rated Silicon Carbide MOSFET modülüdür. İkili N-Channel konfigürasyonunda tasarlanmış bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (11mOhm @ 180A, 20V) ile yüksek akım uygulamalarında verimli çalışır. 1224nC gate charge ve 23000pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C arasında güvenli şekilde çalışabilen bu modül, güç dönüştürme sistemleri, endüstriyel sürücüler, elektrikli araç uygulamaları ve yüksek frekanslı invertör devrelerinde kullanılır. Chassis Mount tipi kasa ile soğutma uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 337A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 180A, 20V |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 9mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok