Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTSM120AM08CT6AG
POWER MODULE - SIC
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP6
- Seri / Aile Numarası
- APTSM120AM08CT6AG
APTSM120AM08CT6AG Hakkında
Microchip Technology APTSM120AM08CT6AG, Silicon Carbide (SiC) tabanlı ikili N-Channel MOSFET güç modülüdür. 1200V drain-source voltaj derecelendirilmiş, 25°C'de 370A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 20V gate voltajında 1360nC gate charge ve 20V gate voltajında 200A'de 10mΩ on-resistance özellikleridir. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Maksimum 2300W güç dağıtımı kapasitesiyle, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında, güç dönüştürme sistemlerinde, endüstriyel inverterlerde ve elektrik araç drivetrain uygulamalarında tercih edilir. SP6 chassis mount paketinde sunulan bu modül, düşük switching kaybı ve hızlı komutasyon özelliğiyle bilinen SiC teknolojisini kullanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 370A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1360nC @ 20V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SP6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2300W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 200A, 20V |
| Supplier Device Package | SP6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok