Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTMC60TLM55CT3AG
MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP3
- Seri / Aile Numarası
- APTMC60TLM55CT3AG
APTMC60TLM55CT3AG Hakkında
APTMC60TLM55CT3AG, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V/55A Silicon Carbide (SiC) tabanlı 4 N-Channel MOSFET dizisidir. Three Level Inverter uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, yüksek voltajlı güç elektronik sistemlerde anahtarlama görevini yerine getirir. SP3 koruma paketinde sunulan transistör, 48A sürekli drenaj akımı, 49mOhm RDS(on) değeri ve 98nC gate charge karakteristiğine sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilme kapasitesi sayesinde geniş sıcaklık aralığında kullanılabilir. Endüstriyel invertörler, güç kaynakları ve yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 2mA (Typ) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok