Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTMC60TLM14CAG

MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C

Paket/Kılıf
SP6
Seri / Aile Numarası
APTMC60TLM14CAG

APTMC60TLM14CAG Hakkında

APTMC60TLM14CAG, Microchip Technology tarafından üretilen 4 N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET'tir. 1200V Drain-Source voltaj ve 219A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılan bir güç anahtarlama elemanıdır. SP6 paketinde sunulan bu bileşen, 12mΩ RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, üç seviye invertör ve benzer güç dönüştürme devrelerinde, endüstriyel sürücü uygulamalarında ve yenilenebilir enerji sistemlerinde tercih edilir. 483nC gate charge ve 8400pF input capacitance ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 219A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 483nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8400pF @ 1000V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP6
Part Status Active
Power - Max 925W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 150A, 20V
Supplier Device Package SP6
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 30mA (Typ)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok