Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTMC60TL11CT3AG
MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP3
- Seri / Aile Numarası
- APTMC60TL11CT3AG
APTMC60TL11CT3AG Hakkında
APTMC60TL11CT3AG, Microchip Technology tarafından üretilen 4 N-Channel Silicon Carbide MOSFET'tir. 1200V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 28A sürekli drain akımı ile üç seviyeli inverter uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SP3 kasa paketlemesinde sunulan bu bileşen, 98mΩ RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında 125W maksimum güç dağıtabilir. Yüksek voltaj güç dönüştürme, endüstriyel sürücü kontrol ve yenilenebilir enerji uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 125W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok