Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTMC170AM30CT1AG
MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Seri / Aile Numarası
- APTMC170AM30CT
APTMC170AM30CT1AG Hakkında
APTMC170AM30CT1AG, Microchip Technology tarafından üretilen 1700V (1.7kV) yüksek voltaj kapasiteli Silicon Carbide (SiC) MOSFET bileşenidir. 2 N-Channel phase leg yapısındaki bu transistör, 100A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 30mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Gate charge 380nC ve input capacitance 6160pF (1000V'da) özellikleri ile hızlı anahtarlama sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında, inverter devrelerde, DC-DC konvertörlerde ve endüstriyel motor kontrol sistemlerinde kullanılır. SP1 paket tipi ile chassis mount montajı desteklenmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 380nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6160pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 700W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 100A, 20V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 5mA (Typ) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok