Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTMC120TAM12CTPAG

MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P

Paket/Kılıf
SP6
Seri / Aile Numarası
APTMC120TAM12CTPAG

APTMC120TAM12CTPAG Hakkında

Microchip Technology tarafından üretilen APTMC120TAM12CTPAG, 1200V drain-source gerilimi ve 220A sürekli dren akımı kapasitesine sahip 6 kanal N-channel Silicon Carbide MOSFET dizisidir. SP6P pakette sunulan bu bileşen, 3-fazlı köprü uygulamaları için tasarlanmıştır. 12mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlayan transistör, -40°C ile +150°C arasında çalışır. Gate charge 483nC @ 20V, giriş kapasitansi 8400pF @ 1000V'dur. 925W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç elektronik devreleri, endüstriyel sürücüler, solar invertörler ve elektrikli araç uygulamalarında kullanılır. Şasi montaj tipi ile ısı yönetimi optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 483nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8400pF @ 1000V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP6
Part Status Active
Power - Max 925W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 150A, 20V
Supplier Device Package SP6-P
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 30mA (Typ)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok