Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTMC120HRM40CT3AG

POWER MODULE - SIC MOSFET

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
APTMC120HRM40CT3AG

APTMC120HRM40CT3AG Hakkında

APTMC120HRM40CT3AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı bir güç modülüdür. Dual N-Channel konfigürasyonda tasarlanan bu bileşen, 1200V drain-source gerilimi ve 73A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 34mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 375W maksimum güç derecelendirmesi sayesinde, elektrik çevirici sistemleri, güç kaynakları, endüstriyel sürücüler ve yenilenebilir enerji uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge (161nC) ve input capacitance (2788pF) özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Chassis mount modül paketi ile entegrasyon kolaylığı sunar. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 73A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 161nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2788pF @ 1000V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 375W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V
Supplier Device Package SP3
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 12.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok