Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTMC120HR11CT3AG
POWER MODULE - SIC MOSFET
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- APTMC120HR11CT
APTMC120HR11CT3AG Hakkında
APTMC120HR11CT3AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) MOSFET güç modülüdür. Dual N-Channel konfigürasyonda iki transistörü içerir. 1200V drain-source voltaj derecesinde çalışır ve 25°C'de 26A sürekli dren akımı sağlar. Düşük RDS(on) değeri (98mOhm @ 20A, 20V) ile enerji kaybını minimize eder. 62nC gate charge ve 950pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip, maksimum 125W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Yüksek voltaj uygulamaları, güç dönüşüm sistemleri, motor kontrolü ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. Chassis mount tipi modüler tasarımıyla soğutma sistemlerine kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 125W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | SP3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok