Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTMC120HM17CT3AG

POWER MODULE - SIC MOSFET

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
APTMC120HM17CT

APTMC120HM17CT3AG Hakkında

APTMC120HM17CT3AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı bir POWER MODULE transistör dizisidir. Dört adet N-Channel MOSFET içeren bu bileşen, 1200V drain-source voltajında 147A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 17mΩ açık kanal direncine (RDS On) ve 332nC gate charge değerine sahip olan modül, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Chassis mount tipi SP3 paketinde sunulan APTMC120HM17CT3AG, 750W maksimum güç yönetimi gerektiren uygulamalarda kullanılır. Yüksek voltaj anahtarlama, güç dönüştürücüleri, inverter devreleri ve endüstriyel motor sürücüleri gibi alanlarda tercih edilir. SiC teknolojisinin sunduğu düşük switching kaybı ve yüksek verimlilik özellikleri, enerji tasarruflu güç elektronik sistemlerinin tasarımını mümkün kılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 147A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 4 N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 332nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5576pF @ 1000V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 750W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 100A, 20V
Supplier Device Package SP3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 30mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok