Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
APTMC120AM55CT1AG
MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SP1
- Seri / Aile Numarası
- APTMC120AM55CT
APTMC120AM55CT1AG Hakkında
APTMC120AM55CT1AG, Microchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı 2 N-Channel MOSFET Half Bridge konfigürasyonundaki bir güç transistörüdür. 1200V drain-source gerilimi ve 55A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 49mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 98nC olup, hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel konverterler, güç kaynakları, motor kontrol devrelerinde ve enerji dönüşüm sistemlerinde tercih edilir. SP1 paketi ile chassis mount montajı sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 1000V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SP1 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 2mA (Typ) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok