Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

APTMC120AM25CT3AG

MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F

Paket/Kılıf
SP3
Seri / Aile Numarası
APTMC120AM25CT3AG

APTMC120AM25CT3AG Hakkında

APTMC120AM25CT3AG, Microchip Technology tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide (SiC) N-Channel MOSFET'tir. Half-bridge konfigürasyonunda iki kanal içeren bu bileşen, 113A sürekli dren akımı ve 25mOhm RDS(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. SP3 chassis mount pakete sahip olan komponent, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Kapı yükü 197nC ve 3800pF giriş kapasitansı özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Yenilenebilir enerji sistemleri, endüstriyel invertörler, güç dönüştürücüler ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 113A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3800pF @ 1000V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SP3
Part Status Active
Power - Max 500W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 80A, 20V
Supplier Device Package SP3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 4mA (Typ)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok